Samsung MZ-75E250B/EU SSD 250GB 520/540 850 EVOBasic SA3 SAM

Che cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si differenzia dalla precedente tecnologia di memoria?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung supera i limiti dell'architettura NAND planare in termini di densità di archiviazione, prestazioni e durata. Invece di affidarsi a celle di dimensioni e spaziatura ridotte per rientrare in un ingombro minimo, 3D V-NAND utilizza ora 32 strati di celle impilate l'una sull'altra, consentendo una maggiore densità di archiviazione e prestazioni e risparmiando spazio.

Con il modello 850 EVO, ottimizzate il vostro lavoro quotidiano con l'impareggiabile velocità di lettura e scrittura della tecnologia TurboWrite.
Sperimentate ogni giorno le massime prestazioni di lettura e scrittura con la tecnologia TurboWrite di Samsung. Oltre a prestazioni complessive superiori di oltre il 10% rispetto al modello 840 EVO*, le scritture casuali sono 1,9 volte più veloci sui modelli da 120 GB e 250 GB**. L'850 EVO offre prestazioni superiori in lettura (540 MB/s) e scrittura (520 MB/s) rispetto a prodotti simili della concorrenza. Inoltre, offre prestazioni di accesso casuale ottimizzate per i PC client in tutte le profondità di coda.
*PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
**Scrittura diretta (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).

Prendete la corsia preferenziale con la modalità RAPID migliorata.
Migliorate le prestazioni in qualsiasi momento con il software Samsung Magician. Offre la modalità RAPID, che utilizza la memoria principale del PC (DRAM) come cache aggiuntiva, aumentando così in modo significativo le velocità di trasferimento. Con il nuovo software Samsung Magician, l'utilizzo possibile della RAM in modalità RAPID aumenta da 1 GB nella versione precedente fino a 4 GB se nel computer sono disponibili 16 GB di DRAM. Inoltre, si ottengono prestazioni raddoppiate* per gli accessi casuali in tutte le profondità di comando.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (modalità Rapid).

Lavorare più a lungo - grazie alla maggiore efficienza energetica di 3D V-NAND.
L'unità 850 EVO consente di ottenere tempi di autonomia più lunghi sui notebook grazie al controller SSD ottimizzato per 3D V-NAND, che supporta Device Sleep (DEVSLP). L'SSD 850 EVO richiede solo 2 mW di potenza. L'850 EVO risparmia anche circa il 25% di energia durante gli accessi in scrittura* rispetto all'840 EVO, poiché la 3D V-NAND richiede solo circa la metà di energia rispetto alla 2D NAND planare.
*Energia (250 GB): 3,2 watt (840 EVO) > 2,4 watt (850 EVO).

Dati tecnici:

• Design dell'unità SSD (Solid State Drive)
• Fattore di forma 2,5
• Interfaccia SATA 6Gb/s
• Lettura 540MB/s
• Scrittura 520MB/s
• IOPS 4K lettura/scrittura 97k/88k
• Moduli di memoria 3D-NAND TLC, Samsung, 48 strati (V-NAND v3)
• TBW 75TB
• MTBF 1,5 milioni di ore
• Controller Samsung MGX, 8 canali, 400 MHz
• Cache 512MB LPDDR3
• Protocollo AHCI
• Funzioni di protezione dei dati 256bit AES, TCG Opal 2.0
• Consumo energetico non specificato (massimo), 1,72W (funzionamento), 0,025W (inattivo), non specificato (modalità sleep)
• Dimensioni 100x70x6,8 mm

Contenuto della fornitura:

Samsung 250GB SSD 2.5'( confezione sfusa )

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SATA III 850 EVO

Salve, noi di novendu® siamo lieti che siate interessati a questo articolo. Di solito qui troverete una descrizione dettagliata dell'articolo con le caratteristiche più importanti e i punti salienti. Al momento stiamo facendo un po' di pulizie di primavera e stiamo rinnovando il nostro , motivo per cui, ad esempio, qui non c'è il testo del prodotto. Tuttavia, ci stiamo affrettando per potervi fornire nuovamente contenuti di alta qualità il prima possibile. Grazie per la vostra comprensione :)