BRAINZAP 4 GB di memoria RAM DDR3 SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1,5 V CL9 per notebook

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Maggiori informazioni sul prodotto

Descrizione e dati del prodotto

Descrizione del prodotto



Il nostro modulo di memoria RAM DDR3 da 4 GB con il numero di articolo BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N funziona a 1,5 V ed è prodotto e testato secondo i più alti standard di qualità.

La frequenza di memoria è di 1333 MHz ed è retrocompatibile con 1066 MHz.

Il marchio BRAINZAP è registrato presso il JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) e i nostri moduli di memoria sono conformi al 100% alle specifiche JEDEC. Il modulo di memoria è programmato con le specifiche JEDEC PC3-10600S-9. La latenza di memoria corrispondente è CL9.

Il modulo di memoria è double-face per la massima compatibilità (Dual-Rank 2Rx8). Il modulo di memoria non è bufferizzato e non è ECC, pertanto funziona senza problemi nella maggior parte dei dispositivi.

Utilizziamo solo chip di marca (preferibilmente Samsung, Micron e SK Hynix). Tutti i nostri moduli di memoria sono garantiti a vita.

  • Memorianuova.
  • Chip di marca (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
  • Compatibile con la maggior parte dei notebook con memoria DDR3.
  • Immagine di esempio. L'aspetto può variare.

Dettagli del prodotto



  • EAN: 4262360570210
  • Tipo di memoria: RAM DDR3
  • Marchio: BRAINZAP
  • Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
  • Compatibile con: Notebook - Intel e AMD
  • Frequenza di memoria: 1333 MHz
  • Capacità modulo: 4GB
  • Numero di moduli: 1
  • Capacità totale: 4GB
  • Specifiche di memoria: PC3-10600S-9
  • Standard JEDEC: PC3-10600S
  • Tipo: SO DIMM 204-pin
  • Senza buffering: sì
  • ECC: no
  • Registrato: no
  • Tensione: 1,5 V
  • Latenza (CL): 9
  • Disposizione dei chip: 2Rx8
Modello
BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
Produttore
BRAINZAP
Tecnologia di archiviazione
DDR3
Capacità di archiviazione
4 GB
Contenuto della fornitura
Taccuino
Codice del produttore
BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
Codice EAN
4262360570210

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