BRAINZAP 4 GB di memoria RAM DDR3 SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1,5 V CL9 per notebook

Descrizione del prodotto

Il nostro modulo di memoria RAM DDR3 da 4 GB con il numero di articolo BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N funziona a 1,5 V ed è prodotto e testato secondo i più alti standard di qualità.

La frequenza di memoria è di 1333 MHz ed è retrocompatibile con 1066 MHz.

Il marchio BRAINZAP è registrato presso il JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) e i nostri moduli di memoria sono conformi al 100% alle specifiche JEDEC. Il modulo di memoria è programmato con le specifiche JEDEC PC3-10600S-9. La latenza di memoria corrispondente è CL9.

Il modulo di memoria è double-face per la massima compatibilità (Dual-Rank 2Rx8). Il modulo di memoria non è bufferizzato e non è ECC, pertanto funziona senza problemi nella maggior parte dei dispositivi.

Utilizziamo solo chip di marca (preferibilmente Samsung, Micron e SK Hynix). Tutti i nostri moduli di memoria sono garantiti a vita.

• Memorianuova.
• Chip di marca (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Compatibile con la maggior parte dei notebook con memoria DDR3.
• Immagine di esempio. L'aspetto può variare.

Dettagli del prodotto

• EAN: 4262360570210
• Tipo di memoria: RAM DDR3
• Marchio: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
• Compatibile con: Notebook - Intel e AMD
• Frequenza di memoria: 1333 MHz
• Capacità modulo: 4GB
• Numero di moduli: 1
• Capacità totale: 4GB
• Specifiche di memoria: PC3-10600S-9
• Standard JEDEC: PC3-10600S
• Tipo: SO DIMM 204-pin
• Senza buffering: sì
• ECC: no
• Registrato: no
• Tensione: 1,5 V
• Latenza (CL): 9
• Disposizione dei chip: 2Rx8