Samsung M425R1GB4BB0-CWM, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR5, 5600 MHz, 262 pin SO-DIMM

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Descrizione e dati del prodotto

Dati tecnici:
  • Fattore di forma: DDR5 SO-DIMM 262 pin
  • Tipo di modulo: UDIMM Non-ECC (senza buffer)
  • Velocità di trasmissione dati: 4800MT/​s
  • Moduli: 1x 8 GB
  • ECC: ECC su die
  • Specifiche JEDEC: PC5-38400S
  • Tensione: 1,1 V (tensione standard JEDEC)
  • Altezza del modulo: 30 mm (altezza standard JEDEC)
  • Organizzazione: singolo rango, x16
  • Alloggiamento: N/A
  • Illuminazione: N/​A
  • Caratteristiche speciali: profilo standard JEDEC (DDR5-4800/CL40)
  • Latenza CAS (CL): 40 (16,67 ns)
Produttore
Samsung
Tecnologia di archiviazione
DDR5
Capacità di archiviazione
8 GB
Codice del produttore
M425R1GB4BB0-CWM
Codice EAN
5715328127142
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