Samsung MZ-V9S1T0 1TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Accelerate la vostra giornata
Completate le vostre attività in un batter d'occhio. Il 990 EVO Plus con la più recente memoria flash NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale fino a 7.250/6.300 MB/s. Trasferimento rapido di file di grandi dimensioni.

Affrontate la giornata con la massima efficienza
Alta efficienza per prestazioni elevate. Il controller con rivestimento in nickel aumenta i MB/s per watt fino al 73% rispetto al modello 990 EVO e raggiunge le stesse prestazioni e lo stesso controllo termico con un consumo energetico inferiore. Concentratevi sul lavoro o sul gioco senza preoccuparvi del surriscaldamento o della durata della batteria.

Tanto spazio. Tanta velocità.
Sfruttate tutta la potenza dell'unità con l'intelligente TurboWrite 2.0. Elaborate rapidamente grandi quantità di dati e gestite la grafica più impegnativa con un'ampia area TurboWrite, ora disponibile con una capacità fino a 4 TB.

Samsung Magician Software
La gestione moderna dell'unità come una magia - con Samsung Magician Software. Questa soluzione software di facile utilizzo vi aiuta a tenere sempre sotto controllo la vostra unità SSD. Consente di mantenere l'unità aggiornata con gli aggiornamenti, di monitorare i parametri di stato e la velocità e di regolare le prestazioni.

Si consiglia di aggiornare sempre il firmware delle unità SSD Samsung alla versione più recente.

Dare vita alla tecnologia moderna
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è il motore delle moderne tecnologie che hanno cambiato la nostra vita quotidiana. La tecnologia NAND flash alimenta le nostre SSD e fa spazio alla prossima spinta della tecnologia moderna.

Prestazioni
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s. Fino al 45% più veloce rispetto al modello 990 EVO.

Efficienza energetica
Efficienza energetica superiore fino al 73% rispetto al modello 990 EVO per un maggior numero di MB/s per watt con prestazioni e controllo termico costanti.

Versatilità
Elevata capacità fino a 4 TB e veloce TurboWrite 2.0 intelligente con area TurboWrite aumentata.

Specifiche del prodotto:

• Capacità: 1 TB
• Dimensione: M.2
• Interfaccia: PCI Express 4.0

N. produttore:MZ-V9S1T0BW

SAMSUNG
Disco rigido interno M.2 SSD
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
Disco rigido M.2 SSD
Capacità di archiviazione 1 TB
Interfaccia: PCI Express 4.0
Velocità di lettura 7150 MB/s, velocità di scrittura 6300 MB/s

Caratteristiche

• Dimensioni SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
• Supporto TRIM:Sì
• Scrittura casuale (4 KB):1350000 IOPS
• Tipo di memoria:V-NAND TLC
• NVMe:Sì
• Crittografia hardware:Sì
• Lettura casuale (4 KB):850000 IOPS
• Fattore di forma SSD:M.2
• Interfaccia:PCI Express 4.0
• Supporto SMART:Sì
• Versione NVMe:2.0
• Tempo medio tra guasti (MTBF):1500000 h
• Velocità di scrittura:6300 MB/s
• Componente per:PC
• Sicurezza algoritmi:AES a 256 bit
• Velocità di lettura:7150 MB/s
• Capacità SSD:1 TB

Condizioni operative

• Temperatura operativa (TT):0 - 70 °C

Peso e dimensioni

• Larghezza:80,2 mm
• Altezza:22,1 mm
• Profondità:2,38 mm
• Peso:9 g

SSD Samsung | 990 EVO Plus | 1000 GB | Formato SSD M.2 2280 | Interfaccia unità a stato solido NVMe | Velocità di lettura 7250 MB/s | Velocità di scrittura 6300 MB/s https://upload.cdn.baselinker.com/products/1010866/63f14cd5ee97d21cd34408773bd10c65.png Dettagli tecnici:
Produttore - Samsung

• Caratteristiche della confezione / Profondità lorda (mm): 90,00 mm
• Caratteristiche della confezione / Altezza lorda (mm): 10,00 mm
• Caratteristiche della confezione / Larghezza lorda (mm): 30,00 mm
• Caratteristiche della confezione / Quantità di imballaggio: 1,00 pz.
• Caratteristiche della confezione / Carta/cartone: 22.00 g
• Caratteristiche della confezione / Plastica (No PET): 8.00 g
• Caratteristiche della confezione / Tara (kg): 0,03 kg
• Caratteristiche della confezione / Volume (m3): 0.00 m³
• Caratteristiche della confezione / Batteria incorporata: No
• Caratteristiche della confezione / Tassa RAEE: CL109:6:2017-04-01
• Caratteristiche della confezione / Palette Qtà: 25641 pz.
• Dettagli tecnici / Peso lordo: 0,04 kg
• Dettagli tecnici / Peso netto: 0,01 kg
• Dettagli tecnici / Produttore: Samsung
• Dettagli tecnici / Nome del prodotto del produttore: 990 EVO Plus
• Dettagli tecnici / Famiglia di prodotti del produttore: SSD
• Lavoro / Capacità di memoria SSD: 1000 GB
• Lavoro / Velocità di scrittura dei supporti: 6300 MB/s
• Velocità di lettura lavoro/supporto: 7250 MB/s
• Funzionamento / Interfaccia di memoria SSD: NVMe
• Design / Dimensione alloggiamento SSD: M.2 2280
• Garanzie: 60 mesi

https://upload.cdn.baselinker.com/products/1010866/63f14cd5ee97d21cd34408773bd10c65.png

Informazioni brevi: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - crittografato - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0 Group Hard disk Produttore Samsung Produttore Art. N. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Descrizione del prodotto: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Tipo Unità a stato solido - interna Capacità 1 TB Crittografia hardware Sì Algoritmo di crittografia 256-bit AES Tipo di memoria flash NAND TLC (Triple-Level Cell) Fattore di forma M.2 2280 Interfaccia PCIe 5.0 x2 (NVMe) Caratteristiche Tecnologia Intelligent TurboWrite, tecnologia Samsung V-NAND TLC, supporto Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), supporto TRIM, algoritmo Auto Garbage Collection, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Dimensioni (larghezza x profondità x altezza) 22,15 mm x 80,15 mm x 2,38 mm Peso 9 g Dettagli esplicativi Generale Tipo di dispositivo Unità a stato solido - interna Capacità 1 TB Crittografia hardware Sì Algoritmo di crittografia 256 bit AES Tipo di memoria flash NAND TLC (Triple-Level Cell) Fattore di forma M.2 2280 Interfaccia PCIe 5.0 x2 (NVMe) Caratteristiche Tecnologia TurboWrite intelligente, tecnologia Samsung V-NAND TLC, supporto per la sospensione del dispositivo, buffer di memoria host (HMB), supporto TRIM, algoritmo di raccolta automatica dei rifiuti, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Larghezza 22,15 mm Profondità 80,15 mm Altezza 2,38 mm Peso 9 g Prestazioni Velocità di trasmissione dati interna 7150 MBps (lettura)/ 6300 MBps (scrittura) Massimo 4 KB in scrittura casuale 1350000 IOPS Massimo 4 KB in lettura casuale 850000 IOPS Affidabilità MTBF 1.500.000 ore Espansione e connettività Alloggiamento compatibile M.2 2280 Alimentazione Consumo 4,3 Watt (lettura) 4,2 Watt (scrittura) 60 mW (standby) 5 mW (modalità sleep) Software e requisiti di sistema Software incluso Software Samsung Magician Varie Materiale dell'alloggiamento Rivestimento in nichel Condizioni ambientali Temperatura operativa minima 0 °C Temperatura operativa massima 70 °C Tolleranza agli urti Temperatura di funzionamento 70 °C Tolleranza agli urti (non in funzione) 1500 g @ 0,5 ms Tolleranza alle vibrazioni (non in funzione) 20 g @ 20-2000 Hz

samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail da 1 TB - Un'unità SSD ad alte prestazioni con capacità di archiviazione di 1 TB di Samsung in formato M. 2, che supporta PCI-E NVMe Gen4 per la massima velocità.

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - crittografato - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES a 256 bit - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Modulo interno a stato solido