Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Velocità spettacolare tutti i giorni
Sfrutta le attività più velocemente. 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale potenziate fino a 7.250/6.300 MB/s. File enormi, trasferimento immediato.

Mantenere la temperatura e l'energia durante la giornata
Efficienza ottimizzata, prestazioni prolungate. Il controller con rivestimento in nichel aumenta i MB/s per Watt del 73% rispetto al modello 990 EVO, raggiungendo lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Rimanete concentrati sul lavoro o sul gioco senza preoccuparvi del surriscaldamento o della durata della batteria.

Spazio extra. Velocità extra.
Sfrutta tutta la potenza dell'unità con Intelligent TurboWrite 2.0 migliorato. Elaborate più velocemente i dati di grandi dimensioni e scorrete la grafica pesante con un'area TurboWrite ampliata, ora disponibile con una capacità di 4 TB.

Samsung Magician software
Fate in modo che la vostra unità SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician garantiscono le migliori prestazioni dell'SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggete i dati preziosi, monitorate lo stato di salute dell'unità e ottenete gli ultimi aggiornamenti del firmware.

Portare in vita le innovazioni
Per decenni, la memoria flash NAND di Samsung ha alimentato tecnologie rivoluzionarie che hanno cambiato ogni aspetto della nostra vita quotidiana. Questa tecnologia NAND flash alimenta anche le nostre SSD consumer, lasciando spazio alla prossima grande spinta innovativa.

Performance
Fino a 7.250 MB/s di velocità di lettura sequenziale, il 45% in più rispetto al modello precedente, il 990 EVO.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% rispetto al modello 990 EVO per un maggior numero di MB/s per watt, mantenendo al contempo le prestazioni e il controllo termico.

Versatilità
Capacità fino a 4 TB e rapida Intelligent TurboWrite 2.0.Samsung MZ-V9S1T0. Capacità SSD: 1 TB, Fattore di forma SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC

SSD Samsung | 990 EVO Plus | 1000 GB | Formato SSD M.2 2280 | Interfaccia unità a stato solido NVMe | Velocità di lettura 7250 MB/s | Velocità di scrittura 6300 MB/s https://upload.cdn.baselinker.com/products/1010866/63f14cd5ee97d21cd34408773bd10c65.png Dettagli tecnici:
Produttore - Samsung

• Caratteristiche della confezione / Profondità lorda (mm): 90,00 mm
• Caratteristiche della confezione / Altezza lorda (mm): 10,00 mm
• Caratteristiche della confezione / Larghezza lorda (mm): 30,00 mm
• Caratteristiche della confezione / Quantità di imballaggio: 1,00 pz.
• Caratteristiche della confezione / Carta/cartone: 22.00 g
• Caratteristiche della confezione / Plastica (No PET): 8.00 g
• Caratteristiche della confezione / Tara (kg): 0,03 kg
• Caratteristiche della confezione / Volume (m3): 0.00 m³
• Caratteristiche della confezione / Batteria incorporata: No
• Caratteristiche della confezione / Tassa RAEE: CL109:6:2017-04-01
• Caratteristiche della confezione / Palette Qtà: 25641 pz.
• Dettagli tecnici / Peso lordo: 0,04 kg
• Dettagli tecnici / Peso netto: 0,01 kg
• Dettagli tecnici / Produttore: Samsung
• Dettagli tecnici / Nome del prodotto del produttore: 990 EVO Plus
• Dettagli tecnici / Famiglia di prodotti del produttore: SSD
• Lavoro / Capacità di memoria SSD: 1000 GB
• Lavoro / Velocità di scrittura dei supporti: 6300 MB/s
• Velocità di lettura lavoro/supporto: 7250 MB/s
• Funzionamento / Interfaccia di memoria SSD: NVMe
• Design / Dimensione alloggiamento SSD: M.2 2280
• Garanzie: 60 mesi

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Caratteristiche

• Dimensioni SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
• Supporto TRIM:Sì
• Scrittura casuale (4 KB):1350000 IOPS
• Tipo di memoria:V-NAND TLC
• NVMe:Sì
• Crittografia hardware:Sì
• Lettura casuale (4 KB):850000 IOPS
• Fattore di forma SSD:M.2
• Interfaccia:PCI Express 4.0
• Supporto SMART:Sì
• Versione NVMe:2.0
• Tempo medio tra guasti (MTBF):1500000 h
• Velocità di scrittura:6300 MB/s
• Componente per:PC
• Sicurezza algoritmi:AES a 256 bit
• Velocità di lettura:7150 MB/s
• Capacità SSD:1 TB

Condizioni operative

• Temperatura operativa (TT):0 - 70 °C

Peso e dimensioni

• Larghezza:80,2 mm
• Altezza:22,1 mm
• Profondità:2,38 mm
• Peso:9 g

SAMSUNG
Disco rigido interno M.2 SSD
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
Disco rigido M.2 SSD
Capacità di archiviazione 1 TB
Interfaccia: PCI Express 4.0
Velocità di lettura 7150 MB/s, velocità di scrittura 6300 MB/s

Specifiche del prodotto:

• Capacità: 1 TB
• Dimensione: M.2
• Interfaccia: PCI Express 4.0

N. produttore:MZ-V9S1T0BW

Informazioni brevi: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - crittografato - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0 Group Hard disk Produttore Samsung Produttore Art. N. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Descrizione del prodotto: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Tipo Unità a stato solido - interna Capacità 1 TB Crittografia hardware Sì Algoritmo di crittografia 256-bit AES Tipo di memoria flash NAND TLC (Triple-Level Cell) Fattore di forma M.2 2280 Interfaccia PCIe 5.0 x2 (NVMe) Caratteristiche Tecnologia Intelligent TurboWrite, tecnologia Samsung V-NAND TLC, supporto Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), supporto TRIM, algoritmo Auto Garbage Collection, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Dimensioni (larghezza x profondità x altezza) 22,15 mm x 80,15 mm x 2,38 mm Peso 9 g Dettagli esplicativi Generale Tipo di dispositivo Unità a stato solido - interna Capacità 1 TB Crittografia hardware Sì Algoritmo di crittografia 256 bit AES Tipo di memoria flash NAND TLC (Triple-Level Cell) Fattore di forma M.2 2280 Interfaccia PCIe 5.0 x2 (NVMe) Caratteristiche Tecnologia TurboWrite intelligente, tecnologia Samsung V-NAND TLC, supporto per la sospensione del dispositivo, buffer di memoria host (HMB), supporto TRIM, algoritmo di raccolta automatica dei rifiuti, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Larghezza 22,15 mm Profondità 80,15 mm Altezza 2,38 mm Peso 9 g Prestazioni Velocità di trasmissione dati interna 7150 MBps (lettura)/ 6300 MBps (scrittura) Massimo 4 KB in scrittura casuale 1350000 IOPS Massimo 4 KB in lettura casuale 850000 IOPS Affidabilità MTBF 1.500.000 ore Espansione e connettività Alloggiamento compatibile M.2 2280 Alimentazione Consumo 4,3 Watt (lettura) 4,2 Watt (scrittura) 60 mW (standby) 5 mW (modalità sleep) Software e requisiti di sistema Software incluso Software Samsung Magician Varie Materiale dell'alloggiamento Rivestimento in nichel Condizioni ambientali Temperatura operativa minima 0 °C Temperatura operativa massima 70 °C Tolleranza agli urti Temperatura di funzionamento 70 °C Tolleranza agli urti (non in funzione) 1500 g @ 0,5 ms Tolleranza alle vibrazioni (non in funzione) 20 g @ 20-2000 Hz

samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail da 1 TB - Un'unità SSD ad alte prestazioni con capacità di archiviazione di 1 TB di Samsung in formato M. 2, che supporta PCI-E NVMe Gen4 per la massima velocità.

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - crittografato - 1 TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES a 256 bit - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Modulo interno a stato solido

Svolgere le attività più velocemente. La 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale migliorate fino a 7150/6300 MB/s. Trasferimento istantaneo di file di grandi dimensioni. Caratteristiche Potenza fresca per tutta la durata del...