Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Velocità spettacolare tutti i giorni
Sfrutta le attività più velocemente. 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale potenziate fino a 7.250/6.300 MB/s. File enormi, trasferimento immediato.

Mantenere la temperatura e l'energia durante la giornata
Efficienza ottimizzata, prestazioni prolungate. Il controller con rivestimento in nichel aumenta i MB/s per Watt del 73% rispetto al modello 990 EVO, raggiungendo lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Rimanete concentrati sul lavoro o sul gioco senza preoccuparvi del surriscaldamento o della durata della batteria.

Spazio extra. Velocità extra.
Sfrutta tutta la potenza dell'unità con Intelligent TurboWrite 2.0 migliorato. Elaborate più velocemente i dati di grandi dimensioni e scorrete la grafica pesante con un'area TurboWrite ampliata, ora disponibile con una capacità di 4 TB.

Samsung Magician software
Fate in modo che la vostra unità SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician garantiscono le migliori prestazioni dell'SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggete i dati preziosi, monitorate lo stato di salute dell'unità e ottenete gli ultimi aggiornamenti del firmware.

Portare in vita le innovazioni
Per decenni, la memoria flash NAND di Samsung ha alimentato tecnologie rivoluzionarie che hanno cambiato ogni aspetto della nostra vita quotidiana. Questa tecnologia NAND flash alimenta anche le nostre SSD consumer, lasciando spazio alla prossima grande spinta innovativa.

Performance
Fino a 7.250 MB/s di velocità di lettura sequenziale, il 45% in più rispetto al modello precedente, il 990 EVO.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% rispetto al modello 990 EVO per un maggior numero di MB/s per watt, mantenendo al contempo le prestazioni e il controllo termico.

Versatilità
Capacità fino a 4 TB e rapida Intelligent TurboWrite 2.0.Samsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Fattore di forma SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC

Funzioni di base Applicazione Capacità: 4000 GB (1 GB = 1 miliardo di byte per IDEMA) * La capacità effettiva utilizzabile può essere inferiore (a causa di formattazione, partizionamento, sistema operativo, applicazioni, ecc.) Design: M.2 (2280) Interfaccia: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Dimensioni (LxAxP): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm) Peso: massimo 9,0 g Memoria: Samsung V-NAND TLC Controller interno Samsung Cache: HMB (Host Memory Buffer)

Caratteristiche speciali Supporto TRIM: supportato Supporto S.M.A.R.T: supportato GC (Garbage Collection): algoritmo di garbage collection automatico Supporto crittografia: AES a 256 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unità crittografata) Supporto WWN: non supportato Supporto per la modalità di sospensione del dispositivo: Sì

Prestazioni Lettura sequenziale: fino a 7250 MB/s * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Scrittura sequenziale: Fino a 6300 MB/s * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Lettura casuale (4KB, QD32): fino a 1.050.000 IOPS * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Scrittura casuale (4KB, QD32): fino a 1.400.000 IOPS * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema

Ambiente Consumo medio di energia (a livello di sistema): * Media: 5,5 W in lettura / 4,8 W in scrittura * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Consumo di energia (inattivo): in genere 60 mW * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Consumo di energia (Device Sleep): in genere 5 mW * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda della configurazione hardware e del sistema Tensione consentita: 3,3 V ± 5% Tensione consentita Affidabilità (MTBF): 1,5 milioni di ore affidabilità (MTBF) Temperatura di funzionamento 0-70°C Urti: 1.500 G e 0,5 ms (semisinusoidale) Kit di installazione: Non disponibile

Software Software di gestione: Software di gestione SSD Magician

Caratteristiche

• Componente per:PC
• Lettura casuale (4KB):850000 IOPS
• Velocità di lettura:7150 MB/s
• Interfaccia:PCI Express 4.0
• Versione NVMe:2.0
• Scrittura casuale (4KB):1350000 IOPS
• Supporto TRIM: sì
• Velocità di scrittura: 6300 MB/s
• Tipo di memoria: V-NAND TLC
• NVMe: sì
• Dimensioni SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
• Capacità SSD:4 TB
• Algoritmi di sicurezza: AES a 256 bit
• INTELLIGENTE supporto: sì
• Hardware crittografia:Sì
• Fattore di forma SSD:M.2
• Tempo medio tra guasti (MTBF):1500000 h

Condizioni operative

• Temperatura di esercizio (TT): 0 - 70 °C

Peso e dimensioni

• Peso:9 g
• Profondità:2,38 mm
• Larghezza:80,2 mm
• Altezza:22,1 mm

Specifiche del prodotto:

• Capacità: 4 TB
• Dimensione: M.2
• Interfaccia: PCI Express 4.0

N. produttore:MZ-V9S4T0BW

Dettagli tecnici:
Produttore - Samsung

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - crittografato - 4TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES a 256 bit - TCG Opal Encryption 2.0 (MZ-V9S4T0)

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Un'unità SSD Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus da 4TB in confezione retail.

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