Samsung MZ-V9S4T0 4TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Velocità spettacolare ogni giorno
Finite la vostra lista di cose da fare più velocemente. La 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale ancora migliori, fino a 7.250/6.300 MB/s. File di grandi dimensioni, trasferimento diretto.

Raffreddamento sufficiente per tutto il giorno
Maggiore efficienza, prestazioni più potenti. Il controller nichelato fornisce il 73% di MB/s in più per watt e offre lo stesso livello di prestazioni e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Niente più surriscaldamento o preoccupazione per la batteria scarica. Potrete concentrarvi sul lavoro o sul gioco.

Spazio extra. Extra veloce.
Sfruttate tutta la potenza del vostro disco rigido con l'intelligenza migliorata di Turbowrite 2.0. Elaborate più velocemente grandi quantità di dati e caricate grafica pesante con più spazio per Turbowrite. Ora disponibile con una capacità di ben 4 TB.

Software Samsung Magician
Scoprite il magico potere della vostra unità SSD. Il software Samsung Magician è un pacchetto di strumenti di ottimizzazione e vi offre sempre le migliori prestazioni dell'SSD. Il modo sicuro e semplice per migrare tutti i vostri dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggete i dati preziosi, tenete d'occhio la salute del driver del vostro monitor e ottenete gli ultimi aggiornamenti del firmware.

Dare vita all'innovazione
La memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie rivoluzionarie che da decenni cambiano tutti gli aspetti della nostra vita quotidiana. Questa memoria flash NAND è anche la base delle nostre SSD per i clienti e quindi il prossimo sviluppo di punta.

Prestazioni
Rapporti di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, ben il 45% più veloce del modello precedente.

Capacità efficiente
73% più efficiente dal punto di vista energetico per un maggior numero di MB/s per watt senza sacrificare le prestazioni e il controllo termico.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità aggiuntiva e veloce Turbowrite 2.0 intelligente con più spazio Turbowrite

. Il modello 990 EVO Plus con l'ultima NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale ancora migliori, fino a 7.250/6.300 MB/s. File di grandi dimensioni, trasferimento diretto,

maggiore efficienza, prestazioni più potenti. Il controller nichelato fornisce il 73% di MB/s in più per watt e offre lo stesso livello di prestazioni e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Niente più surriscaldamento o preoccupazione per la batteria scarica.

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La memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie rivoluzionarie che da decenni cambiano tutti gli aspetti della nostra vita quotidiana. Questa memoria flash NAND è anche la base delle nostre SSD per i clienti e quindi il prossimo sviluppo di punta.

Rapporti di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, ben il 45% più veloce del modello precedente.

73% più efficiente dal punto di vista energetico per un maggior numero di MB/s per watt senza concessioni alle prestazioni e al controllo termico.

Fino a 4 TB di capacità aggiuntiva e veloce Turbowrite 2.0 intelligente con più spazio Turbowrite.

Funzioni di base Applicazione Capacità: 4000 GB (1 GB = 1 miliardo di byte per IDEMA) * La capacità effettiva utilizzabile può essere inferiore (a causa di formattazione, partizionamento, sistema operativo, applicazioni, ecc.) Design: M.2 (2280) Interfaccia: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Dimensioni (LxAxP): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm) Peso: massimo 9,0 g Memoria: Samsung V-NAND TLC Controller interno Samsung Cache: HMB (Host Memory Buffer)

Caratteristiche speciali Supporto TRIM: supportato Supporto S.M.A.R.T: supportato GC (Garbage Collection): algoritmo di garbage collection automatico Supporto crittografia: AES a 256 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unità crittografata) Supporto WWN: non supportato Supporto per la modalità di sospensione del dispositivo: Sì

Prestazioni Lettura sequenziale: fino a 7250 MB/s * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Scrittura sequenziale: Fino a 6300 MB/s * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Lettura casuale (4KB, QD32): fino a 1.050.000 IOPS * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Scrittura casuale (4KB, QD32): fino a 1.400.000 IOPS * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema

Ambiente Consumo medio di energia (a livello di sistema): * Media: 5,5 W in lettura / 4,8 W in scrittura * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Consumo di energia (inattivo): in genere 60 mW * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Consumo di energia (Device Sleep): in genere 5 mW * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda della configurazione hardware e del sistema Tensione consentita: 3,3 V ± 5% Tensione consentita Affidabilità (MTBF): 1,5 milioni di ore affidabilità (MTBF) Temperatura di funzionamento 0-70°C Urti: 1.500 G e 0,5 ms (semisinusoidale) Kit di installazione: Non disponibile

Software Software di gestione: Software di gestione SSD Magician

Caratteristiche

• Componente per:PC
• Lettura casuale (4KB):850000 IOPS
• Velocità di lettura:7150 MB/s
• Interfaccia:PCI Express 4.0
• Versione NVMe:2.0
• Scrittura casuale (4KB):1350000 IOPS
• Supporto TRIM: sì
• Velocità di scrittura: 6300 MB/s
• Tipo di memoria: V-NAND TLC
• NVMe: sì
• Dimensioni SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
• Capacità SSD:4 TB
• Algoritmi di sicurezza: AES a 256 bit
• INTELLIGENTE supporto: sì
• Hardware crittografia:Sì
• Fattore di forma SSD:M.2
• Tempo medio tra guasti (MTBF):1500000 h

Condizioni operative

• Temperatura di esercizio (TT): 0 - 70 °C

Peso e dimensioni

• Peso:9 g
• Profondità:2,38 mm
• Larghezza:80,2 mm
• Altezza:22,1 mm

Marka: Samsung

Typ Produktu::
Wymiary: 8 x 8 cm

Specifiche del prodotto:

• Capacità: 4 TB
• Dimensione: M.2
• Interfaccia: PCI Express 4.0

N. produttore: MZ-V9S4T0BW

Dettagli tecnici:
Produttore - Samsung

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - crittografato - 4TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES a 256 bit - TCG Opal Encryption 2.0 (MZ-V9S4T0)

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Un'unità SSD Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus da 4TB in confezione retail.

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