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Samsung - MZ-V9S4T0BW - Disco rigido

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Maggiori informazioni sul prodotto

Descrizione e dati del prodotto

Velocità spettacolare ogni giorno
Finite la vostra lista di cose da fare più velocemente. La 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale ancora migliori, fino a 7.250/6.300 MB/s. File di grandi dimensioni, trasferimento diretto.

Raffreddamento sufficiente per tutto il giorno
Maggiore efficienza, prestazioni più potenti. Il controller nichelato fornisce il 73% di MB/s in più per watt e offre lo stesso livello di prestazioni e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Niente più surriscaldamento o preoccupazione per la batteria scarica. Potrete concentrarvi sul lavoro o sul gioco.

Spazio extra. Extra veloce.
Sfruttate tutta la potenza del vostro disco rigido con l'intelligenza migliorata di Turbowrite 2.0. Elaborate più velocemente grandi quantità di dati e caricate grafica pesante con più spazio per Turbowrite. Ora disponibile con una capacità di ben 4 TB.

Software Samsung Magician
Scoprite il magico potere della vostra unità SSD. Il software Samsung Magician è un pacchetto di strumenti di ottimizzazione e vi offre sempre le migliori prestazioni dell'SSD. Il modo sicuro e semplice per migrare tutti i vostri dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggete i dati preziosi, tenete d'occhio la salute del driver del vostro monitor e ottenete gli ultimi aggiornamenti del firmware.

Dare vita all'innovazione
La memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie rivoluzionarie che da decenni cambiano tutti gli aspetti della nostra vita quotidiana. Questa memoria flash NAND è anche la base delle nostre SSD per i clienti e quindi il prossimo sviluppo di punta.

Prestazioni
Rapporti di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, ben il 45% più veloce del modello precedente.

Capacità efficiente
73% più efficiente dal punto di vista energetico per un maggior numero di MB/s per watt senza sacrificare le prestazioni e il controllo termico.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità aggiuntiva e veloce Turbowrite 2.0 intelligente con più spazio Turbowrite

. Il modello 990 EVO Plus con l'ultima NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale ancora migliori, fino a 7.250/6.300 MB/s. File di grandi dimensioni, trasferimento diretto,

maggiore efficienza, prestazioni più potenti. Il controller nichelato fornisce il 73% di MB/s in più per watt e offre lo stesso livello di prestazioni e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Niente più surriscaldamento o preoccupazione per la batteria scarica.

Sfruttate tutta la potenza del vostro disco rigido con l'intelligente Turbowrite 2.0. Elaborate più velocemente grandi quantità di dati e caricate grafica pesante con più spazio per Turbowrite. Ora disponibile con una capacità di ben 4 TB

, scoprite il magico potere della vostra unità SSD. Il software Samsung Magician è una suite di strumenti di ottimizzazione che garantisce sempre le migliori prestazioni dell'SSD. Il modo sicuro e semplice per migrare tutti i vostri dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggete i dati preziosi, tenete d'occhio la salute del driver del vostro monitor e ottenete gli ultimi aggiornamenti del firmware.

La memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie rivoluzionarie che da decenni cambiano tutti gli aspetti della nostra vita quotidiana. Questa memoria flash NAND è anche la base delle nostre SSD per i clienti e quindi il prossimo sviluppo di punta.

Rapporti di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, ben il 45% più veloce del modello precedente.

73% più efficiente dal punto di vista energetico per un maggior numero di MB/s per watt senza concessioni alle prestazioni e al controllo termico.

Fino a 4 TB di capacità aggiuntiva e veloce Turbowrite 2.0 intelligente con più spazio Turbowrite.



Generale
Tipo di dispositivo
Unità con memoria a stato solido - interna
Capacità di archiviazione
4 TB
Crittografia hardware
Sì
Algoritmo di crittografia
aES a 256 bit
Tipo di memoria flash NAND
TLC (Triple-Level Cell)
Fattore di forma
M.2 2280
Tipo di interfaccia
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caratteristiche
Tecnologia Intelligent TurboWrite, tecnologia Samsung V-NAND TLC, supporto Device Sleep, Host Memory Buffer (HMB), supporto TRIM, algoritmo Auto Garbage Collection, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Larghezza
22.15 mm
Profondità
80.15 mm di profondità
Altezza
2.38 mm
Peso
9 g
Prestazioni
Velocità di trasmissione dati interna
7250 MBps (lettura) / 6300 MBps (scrittura)
Scrittura casuale massima di 4 KB
1400000 IOPS
Lettura casuale massima di 4 KB
1050000 IOPS
Affidabilità
MTBF
1.500.000 ore
Espansione e connettività
Pannello di commutazione compatibile
M.2 2280
Alimentazione
Consumo di energia
5.5 watt (lettura)
4,8 watt (scrittura)
60 mW (standby)
5 mW (modalità sleep)
Requisiti software e di sistema
Software incluso
Software Samsung Magician
Varie
Materiale dell'alloggiamento
Nichelatura
Dimensioni e peso (trasporto)
Larghezza di trasporto
9.9 cm
Profondità di trasporto
2.29 cm
Altezza di trasporto
14.2 cm
Assistenza e supporto
Condizioni ambientali
Temperatura minima di funzionamento
0 °C
Max. Temperatura massima di esercizio
70 °C
Temperatura minima di stoccaggio
-40 °C
Temperatura massima di stoccaggio Temperatura di stoccaggio
85 °C
Umidità ammessa durante il funzionamento
5 - 95 % (senza condensa)
Tolleranza agli urti (non in funzione)
1500 g @ 0,5 ms
Tolleranza alle vibrazioni (non in funzione)
20 g @ 20-2000 Hz


Funzioni di base Applicazione Capacità: 4000 GB (1 GB = 1 miliardo di byte per IDEMA) * La capacità effettiva utilizzabile può essere inferiore (a causa di formattazione, partizionamento, sistema operativo, applicazioni, ecc.) Design: M.2 (2280) Interfaccia: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Dimensioni (LxAxP): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm) Peso: massimo 9,0 g Memoria: Samsung V-NAND TLC Controller interno Samsung Cache: HMB (Host Memory Buffer)

Caratteristiche speciali Supporto TRIM: supportato Supporto S.M.A.R.T: supportato GC (Garbage Collection): algoritmo di garbage collection automatico Supporto crittografia: AES a 256 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unità crittografata) Supporto WWN: non supportato Supporto per la modalità di sospensione del dispositivo: Sì

Prestazioni Lettura sequenziale: fino a 7250 MB/s * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Scrittura sequenziale: Fino a 6300 MB/s * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Lettura casuale (4KB, QD32): fino a 1.050.000 IOPS * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Scrittura casuale (4KB, QD32): fino a 1.400.000 IOPS * Le prestazioni possono variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema

Ambiente Consumo medio di energia (a livello di sistema): * Media: 5,5 W in lettura / 4,8 W in scrittura * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Consumo di energia (inattivo): in genere 60 mW * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda dell'hardware e della configurazione del sistema Consumo di energia (Device Sleep): in genere 5 mW * Il consumo effettivo di energia può variare a seconda della configurazione hardware e del sistema Tensione consentita: 3,3 V ± 5% Tensione consentita Affidabilità (MTBF): 1,5 milioni di ore affidabilità (MTBF) Temperatura di funzionamento 0-70°C Urti: 1.500 G e 0,5 ms (semisinusoidale) Kit di installazione: Non disponibile

Software Software di gestione: Software di gestione SSD Magician



Caratteristiche



  • Componente per:PC
  • Lettura casuale (4KB):850000 IOPS
  • Velocità di lettura:7150 MB/s
  • Interfaccia:PCI Express 4.0
  • Versione NVMe:2.0
  • Scrittura casuale (4KB):1350000 IOPS
  • Supporto TRIM: sì
  • Velocità di scrittura: 6300 MB/s
  • Tipo di memoria: V-NAND TLC
  • NVMe: sì
  • Dimensioni SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
  • Capacità SSD:4 TB
  • Algoritmi di sicurezza: AES a 256 bit
  • INTELLIGENTE supporto: sì
  • Hardware crittografia:Sì
  • Fattore di forma SSD:M.2
  • Tempo medio tra guasti (MTBF):1500000 h

Condizioni operative



  • Temperatura di esercizio (TT): 0 - 70 °C

Peso e dimensioni



  • Peso:9 g
  • Profondità:2,38 mm
  • Larghezza:80,2 mm
  • Altezza:22,1 mm



Specifiche del prodotto:

  • Capacità: 4 TB
  • Dimensione: M.2
  • Interfaccia: PCI Express 4.0

N. produttore: MZ-V9S4T0BW



Dettagli tecnici:
Produttore - Samsung



Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - crittografato - 4TB - interno - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES a 256 bit - TCG Opal Encryption 2.0 (MZ-V9S4T0)

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Svolgere le attività più velocemente. La 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale migliorate fino a 7150/6300 MB/s. Trasferimento istantaneo di file di grandi dimensioni. Caratteristiche Potenza fresca per tutta la durata del...

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Modulo interno a stato solido
Velocità di lettura
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Velocità di scrittura
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Produttore
Peso
0.009 kg
Capacità di archiviazione
4 TB
Codice del produttore
MZ-V9S4T0BW
Codice EAN
8806095575667
887276843698
0887276843698

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Recensioni dei clienti

Sulla base di 4 recensioni
Recensito il giorno 26 aprile 2026 su
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Capacità di archiviazione 4 TB
Recensito il giorno 14 settembre 2026 su
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Capacità di archiviazione 4 TB
Recensito il giorno 27 luglio 2026 su
Acquisto verificato
Capacità di archiviazione 4 TB
Recensito il giorno 5 aprile 2025 su
Acquisto verificato
Capacità di archiviazione 4 TB
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